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용인에 위치한 램리서치코리아 테크놀로지 센터(KTC) [사진: 램리서치코리아]

[디지털투데이 석대건 기자] 램리서치가 1일 3세대 극저온 유전체 식각 기술인 '램 크라이오 3.0'을 공개했다.

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회사측에 따르면램 크라이오 3.0은 첨단 3D 낸드의 수율과 전반적 성능 개선을 지원해 AI 반도체 제조사 생산 경쟁력을 높이는데 최적화됐다.

기존 3D 낸드 스케일링은 주로 메모리 셀을 수직으로 적층하는 방식이었다. 이 때문에 깊고 좁게 파는 고종횡비 메모리 채널 식각 기술이 사용됐다. 이 과정에서 원자 수준의 미세한 편차가 발생하면 소자 전기적 특성 및 수율 저하가 발생했다.

램 크라이오 3.0 기술은 극저온 공정 온도, 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터 기술, 표면 화학 기술을 적용해 정밀도와 프로파일 제어 수준을 높였다. 이를 통해 0.1% 미만의 프로파일 편차를 달성했다.

3D 낸드 제조사가 램 크라이오 3.0를 활용하면 상단부에서 하단부까지 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지해 최대 10마이크론(µm)* 깊이의 메모리 채널을 식각할 수 있다고 회사 측은 설명했다.

또 기존 플라즈마 기술 대비 2.5배 빠른 속도로 식각하면서도 웨이퍼 대 웨이퍼의 반복성을 개선해 비용 효율성과 수율을 동시에 높일 수 있다.

에너지 소비 측면에서도 기존 식각 공정보다 웨이퍼당 40% 절감했으며 새로운 식각 가스를 사용하여 탄소 배출량을 최대 90%까지 감축했다.

램 크라이오 3.0 식각 기술 도식 [사진: 램리서치코리아]

램리서치는 장비 투자 효율 극대화를 위해 최신 반텍스(Vantex®)시스템에 적용할 수 있도록 구축했다. 주요 메모리 칩 제조사에서 사용되고 있는 기존 고종횡비 유전체 식각 장비 플렉스 (Flex®) 포트폴리오에도 적용 가능하다.

세샤 바라다라잔 램리서치 글로벌 제품 사업부 수석 부사장은 "기존 유전체 공정 대비 2.5배 식각률을 달성하고 옹스트롬(angstrom) 수준의 정밀도로 고종횡비 피처를 일정하게 구현한다"며 "램 크라이오 3.0은 고객사들이 AI 시대의 낸드 제조의 주요 난제를 극복하는데 필요한 식각 기술"이라고 말했다.

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